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Published:1985
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[J]. 1985, (2): 28-29.
DOI:
[J]. 1985, (2): 28-29. DOI:
在半导体工艺中各种外延生长的薄膜
以及各种氧化薄膜(如SiO_2)
氢化薄膜(如SiH)等厚度的测量
目前一般用金相显微镜法
但是测量前样品必需经过化学腐蚀
是一种有损测量法。我们根据薄膜干涉原理
利用红外光谱仪
很简便的、快速的、无损的测量了各种薄膜厚度。原理及计算公式入射光束I_0由空气射到薄膜表面
反射光束R_1和R_0之间的光程差为(见图1):
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