Design and development of lithography lens in 0.7μm  i  line projection exposure system

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Design and development of lithography lens in 0.7μm i line projection exposure system

更新时间：2025-09-01

- Design and development of lithography lens in 0.7μm i line projection exposure system
- Issue 3, (1998)
- 作者机构：
  
  1:中国科学院光电技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1998
- 稿件说明：
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Design and development of lithography lens in 0.7μm i line projection exposure system[J]. 1998, (3).
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Design and development of lithography lens in 0.7μm i line projection exposure system[J]. 1998, (3). DOI：

摘要

介绍了微电子专用关键设备０．７μｍｉ线投影曝光系统光刻物镜的主要技术指标，及设计试制中解决的关键单元技术和试制结果。结果表明，数值孔径ＮＡ＝０．４２，光刻工作分辨力０．６μｍ，像场尺寸１４．６ｍｍ×１４．６ｍｍ，畸变＜±０．１μｍ的５倍精缩投影光刻物镜已试制成功。物镜具有双远心和有温度气压控制补偿，在满足高精度成像的同时，又能同时满足暗场同轴对准的特点。

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