光激电流谱的测试

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光激电流谱的测试

更新时间：2025-09-01

- 光激电流谱的测试
- Issue 2, (1999)
- 作者机构：
  
  1. 1:吉林工业大学物理系
  2. 2:装甲兵技术学校
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1999
- 稿件说明：
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[J]. 1999, (2).
DOI：

[J]. 1999, (2). DOI：

摘要

用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。

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