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1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学重点实验室
2. 2:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学重点实验室,吉林,长春,130022
3. 3,吉林,长春,130022
Published:2004
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Compute the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[J]. 2004, (4): 403-405.
DOI:
Compute the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[J]. 2004, (4): 403-405. DOI:
利用有限元软件ANSYS
对碳纳米管的最佳阵列密度进行了分析。针对碳纳米管阵列静电场分布的特点
建立了碳纳米管的模型
确定了模型的边界条件。为了便于对计算结果进行对照
在分析时采用的参数是:阵列周期T=2000nm
单根碳纳米管长度L=1μm
顶端半径r=2nm。通过计算得到了单根碳纳米管的场增强因子为321。在长度L和顶端半径r不变的情况下
使用了参数化设计语言
计算了在不同周期(200~4000μm)下碳纳米管场增强因子随周期变化的情况
进一步利用Fowler Nordheim函数得到最佳阵列周期(1600μm)。结果证明
利用有限元软件
其分析过程不仅正确性
而且实用
并且为此类问题的解决提供了一个通用的方法。
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