探讨了用于彩色滤光片的低电阻和低压应力的ITO透明导电膜工艺。用磁控溅射方法在不同温度的衬底上制备了ITO薄膜。研究了膜形衬底温度与膜结晶化程度的关系

以及膜形衬底温度对膜电阻和压应力的影响。对不同衬底温度下形成的ITO薄膜进行了退火处理

并对退火后的ITO薄膜的电阻和压应力特性进行了分析。结果表明

采用室温沉积非晶态ITO膜

在真空退火下可获得低电阻、低压应力的多晶相ITO膜。