Influence of non-homogeneous resistivity in the photosensitive layer on position sensitive detectors

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Influence of non-homogeneous resistivity in the photosensitive layer on position sensitive detectors

更新时间：2025-09-01

- Influence of non-homogeneous resistivity in the photosensitive layer on position sensitive detectors
- Issue 1, Pages: 84-86(2005)
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  2. 2:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  3. 3:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  4. 4:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所长春　130033 空军第二航空学院长春
- 作者简介：
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- Published：2005
- 稿件说明：
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Influence of non-homogeneous resistivity in the photosensitive layer on position sensitive detectors[J]. 2005, (1): 84-86.
DOI：

Influence of non-homogeneous resistivity in the photosensitive layer on position sensitive detectors[J]. 2005, (1): 84-86. DOI：

摘要

采用数值方法对光敏层电阻率的非均匀分布及对位置敏感探测器(PSD)的影响进行了研究

结果显示

在现有的制作工艺保障最大电阻率变化不超过1%时

电阻率的非均匀分布对四边形PSD的非线性影响很小

相比较之下

其对一维PSD的影响要大的多。因此

光敏层电阻率的非均匀分布是造成一维PSD非线性的一个主要原因

而对于四边形二维PSD则不是主要原因。

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