Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating

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Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating

更新时间：2025-09-01

- Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating
- Issue 5, Pages: 669-671(2005)
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  2. 2:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  3. 3:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  4. 4:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
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- Published：2005
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Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating[J]. 2005, (5): 669-671.
DOI：

Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating[J]. 2005, (5): 669-671. DOI：

摘要

溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析

并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s

氧气流量为24cm3/min时

在波长为550nm处

方块电阻为20Ω

λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。

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