Preparation of nano-sized CeO<sub>2</sub> and its polishing performances

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Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances

更新时间：2025-09-01

- Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances
- Issue 5, Pages: 682-684(2006)
- 作者机构：
  
  1. 1:上海大学纳米中心
  2. 2:上海大学纳米中心
  3. 3:上海大学理学院
  4. 4:上海大学纳米中心,上海,200444
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2006
- 稿件说明：
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Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances[J]. 2006, (5): 682-684.
DOI：

Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances[J]. 2006, (5): 682-684. DOI：

采用溶胶-凝胶法制备了纳米CeO2粉体

并采用XRD、TOF-SIMS对其进行了表征。结果表明平均晶粒度在13.3nm

粒度分布均匀。进而研究了纳米CeO2在玻璃基片抛光中的抛光性能。ZYGO形貌仪表明

抛光后其表面平均粗糙度值(Ra)可降低到0.6nm左右。原子力显微镜(AFM)在5μm×5μm范围内测得基片表面粗糙度Ra值为0.281nm

表面光滑

划痕等表面微观缺陷明显改善。

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