Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF

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Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF

更新时间：2025-09-01

- Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF
- Issue 6, Pages: 886-888(2006)
- 作者机构：
  
  1. 1:国防科技大学机电工程与自动化学院
  2. 2:国防科技大学机电工程与自动化学院
  3. 3:国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙,410073
  4. 4,长沙,410073
- 作者简介：
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- DOI：
  CLC：
- Published：2006
- 稿件说明：
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Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF[J]. 2006, (6): 886-888.
DOI：

Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF[J]. 2006, (6): 886-888. DOI：

摘要

对利用自行配制的水基磁流变抛光液和磁流变抛光实验样机进行了以抛光去除效率和表面粗糙度为考核指标的工艺实验。应用正交试验方法分析了磁流变抛光中主要工艺参数(磁场强度、抛光粉浓度、抛光盘的转速、抛光盘与工件间的间隙)对抛光去除效率和表面粗糙度的影响规律

并结合磁流变抛光机理对其进行了分析。根据实验结果对工艺参数进行了优化。

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