Study of single layer inhomogeneous Ge<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> antireflection coating prepared by reactive low voltage ion plating technique

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Study of single layer inhomogeneous Ge_1-xC_x antireflection coating prepared by reactive low voltage ion plating technique

更新时间：2025-09-01

- Study of single layer inhomogeneous Ge_1-xC_x antireflection coating prepared by reactive low voltage ion plating technique
- Issue 2, Pages: 302-304(2007)
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  2. 2:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  3. 3:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  4. 4:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
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- DOI：
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- Published：2007
- 稿件说明：
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Study of single layer inhomogeneous Ge_1-xC_x antireflection coating prepared by reactive low voltage ion plating technique[J]. 2007, (2): 302-304.
DOI：

Study of single layer inhomogeneous Ge_1-xC_x antireflection coating prepared by reactive low voltage ion plating technique[J]. 2007, (2): 302-304. DOI：

摘要

用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05~0.4nm/s之间的变化

其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明

镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构

并实现了从2000~8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0.1nm/s时

单面平均透过率从68.6%提高到了80.9%

比单面未镀膜时提高了17.9%。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明

制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。

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