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1. 1:中国科学院半导体研究所
2. 2:中国科学院半导体研究所
3. 3:中国科学院半导体研究所,北京,100083
4. 4,北京,100083
Published:2007
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Research on the dual-wavelength external-cavity semiconductor laser[J]. 2007, (2): 287-288.
DOI:
Research on the dual-wavelength external-cavity semiconductor laser[J]. 2007, (2): 287-288. DOI:
提出了电流调制型的双波长外腔半导体激光器方案。外腔半导体激光器具有窄线宽输出以及独特的阶越型电流调制特性
采用正弦调制的方式
以延时光纤作为辅助结构
得到了具有良好相干特性和稳定波长间隔的双波长激光输出。与多种已有的双波长激光器设计方案相比
这种多波长工作方式结构简单
调谐范围宽
在波分复用光通信系统、高精度光纤传感测量以及外差、双(多)波长合成波长干涉测量等技术中具有很好的应用前景。
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