The developments of Si microchannel plates for electron multiplying

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更新时间：2025-09-01

- The developments of Si microchannel plates for electron multiplying
- Issue 3, Pages: 354-356(2007)
- 作者机构：
  
  1. 1:深圳大学光电子学研究所
  2. 2:深圳大学光电子学研究所
  3. 3:深圳大学光电子学研究所
  4. 4:深圳大学光电子学研究所,深圳,518060
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2007
- 稿件说明：
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The developments of Si microchannel plates for electron multiplying[J]. 2007, (3): 354-356.
DOI：

The developments of Si microchannel plates for electron multiplying[J]. 2007, (3): 354-356. DOI：

阐述了新一代硅微通道板的主要性能。采用定向离子深度刻蚀技术在2和4硅片上刻蚀了四组不同直径的硅微通道板微孔阵列

分别采用PECVD技术和液体化学沉积两种方法制作了硅微通道板的连续打拿极

从而探索了研制新一代硅微通道板的途径。利用紫外光电法测试了硅微通道板的增益和增益均匀性。实验结果表明

如果进一步改进制备工艺

硅微通道板可以实现较传统微通道板更高的增益和更好的增益均匀性。

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