Study on the profile evolution of the photoresist grating mask and its law

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Study on the profile evolution of the photoresist grating mask and its law

更新时间：2025-09-01

- Study on the profile evolution of the photoresist grating mask and its law
- Issue 1, Pages: 133-135(2008)
- 作者机构：
  
  1. 1:南京信息职业技术学院微电子工程系
  2. 2:苏州大学信息光学工程研究所
  3. 3:苏州大学信息光学工程研究所,南京,210046
  4. 4,江苏,苏州,215006
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2008
- 稿件说明：
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Study on the profile evolution of the photoresist grating mask and its law[J]. 2008, (1): 133-135.
DOI：

Study on the profile evolution of the photoresist grating mask and its law[J]. 2008, (1): 133-135. DOI：

摘要

为了控制全息光栅光刻胶掩模槽形

运用曝光模型和显影模型模拟了掩模的槽形形成过程和变化规律。实验对比了不同曝光量

不同显影浓度

不同空频条件下的掩模槽形

特别是占宽比(光栅齿宽度与光栅周期的比)的情况。实验结果表明

实际槽形与模拟槽形很接近。模拟和实验均发现

在大曝光量、高浓度显影、高空频的光栅条件下所得槽形占宽比较小

槽深主要由原始胶厚决定。

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