The processing of backward amplified spontaneous emission in a bismuth-based erbium-doped fiber amplifier

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The processing of backward amplified spontaneous emission in a bismuth-based erbium-doped fiber amplifier

更新时间：2025-09-01

- The processing of backward amplified spontaneous emission in a bismuth-based erbium-doped fiber amplifier
- Issue 3, Pages: 344-347(2008)
- 作者机构：
  
  1. 1:重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
  2. 2:宁波大学
  3. 3:宁波大学
  4. 4:宁波大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2008
- 稿件说明：
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The processing of backward amplified spontaneous emission in a bismuth-based erbium-doped fiber amplifier[J]. 2008, (3): 344-347.
DOI：

The processing of backward amplified spontaneous emission in a bismuth-based erbium-doped fiber amplifier[J]. 2008, (3): 344-347. DOI：

摘要

分别设计了一个带光隔离器和一个带光环形器的复合型宽带铋基掺铒光纤放大器(Bi-EDFA)

理论上研究了Bi-EDFA中对于后向传输放大自发辐射(ASE)的处理对放大器性能的影响。研究表明

在C+L波段多波长信号同时输入情形下

通过在铋基掺铒光纤中插入一个光隔离器抑制后向传输的ASE

可以提高放大器各波长信号增益

降低噪声系数。利用一个光环形器引导后向传输的ASE去泵浦一段未抽运的低掺杂铋基掺铒光纤

可以显著地提高放大器长波段信号增益

而噪声系数只是略有增加

理论研究与报道的实验结果达到了比较好的一致。研究结果对于新型宽带Bi-EDFA的设计和应用具有一定实际指导意义。

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