Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

更新时间：2025-09-01

- Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode
- Issue 3, Pages: 395-397(2008)
- 作者机构：
  
  1. 1:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  2. 2:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  3. 3:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  4. 4:南京理工大学电子工程与光电技术学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2008
- 稿件说明：
移动端阅览
Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode[J]. 2008, (3): 395-397.
DOI：

Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode[J]. 2008, (3): 395-397. DOI：

围绕NEA GaN光电阴极光电发射过程的光谱响应理论

研究了其量子产额问题。分别给出了反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额计算公式

分析了影响量子产额的因素。分析了国外制备的反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额曲线。结果表明

目前制备的NEA GaN光电阴极已具有高达30%的量子效率和良好的发射性能。相同条件下

反射模式比透射模式的量子效率要高

而且反射模式不像透射模式那样存在短波限制。

Views

145

下载量

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

Study of NEA GaN photocathode surface model

Related Author

乔建良

牛军

杨智

邹继军

常本康

Related Institution

2:南阳理工学院电子与电气工程系

⁰