Study of NEA GaN photocathode surface model

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更新时间：2025-09-01

- Study of NEA GaN photocathode surface model
- Vol. 35, Issue 1, Pages: 145-147(2009)
- 作者机构：
  
  1. 1:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  2. 2:南阳理工学院电子与电气工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2009
- 稿件说明：
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Study of NEA GaN photocathode surface model[J]. 2009, 35(1): 145-147.
DOI：

Study of NEA GaN photocathode surface model[J]. 2009, 35(1): 145-147. DOI：

针对目前NEAGaN光电阴极研究中Cs激活或Cs/O激活后表面状态的形成过程还不清楚的问题

围绕NEAGaN光电阴极的光电发射机理

结合GaN光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的最终效果

给出了GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs。利用该模型可很好地解释单独用Cs激活时约-1.0eV的有效电子亲和势和Cs/O共同激活时-1.2eV的有效电子亲和势的成因

也较好地解释了表面吸附原子的组合形式

即Cs/O激活后激活层的化学结构由Cs2O2和CsO2构成。

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