LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique

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LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique

更新时间：2025-09-01

- LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique
- Vol. 35, Issue 2, Pages: 172-174(2009)
- 作者机构：
  
  1:北京理工大学宇航科学技术学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2009
- 稿件说明：
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LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique[J]. 2009, 35(2): 172-174.
DOI：

LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique[J]. 2009, 35(2): 172-174. DOI：

摘要

为改善GaN基发光二极管(Light-emitting diode

LED)的电学特性和提高其输出光功率

采用激光剥离技术

在KrF准分子激光器脉冲激光能量密度为400mJ/cm2的条件下

将GaN基LED从蓝宝石衬底剥离

结合金属熔融键合技术

在300℃中将GaN基LED转移至高电导率和高热导率的硅衬底

制备出了具有垂直结构的GaN基LED

并对其电学和光学特性进行了测试。结果表明:在110mA注入电流下

垂直结构器件的开启电压由普通结构的3.68V降低到了3.27V;在560mA注入电流下

器件输出光功率没有出现饱和现象;采用高电导率和高热导率的硅衬底能有效地改善GaN基LED的电学和光学特性。

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