Single event upset rate analysis of SRAM/MOS equipments in satellite optical communication system

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Single event upset rate analysis of SRAM/MOS equipments in satellite optical communication system

更新时间：2025-09-01

- Single event upset rate analysis of SRAM/MOS equipments in satellite optical communication system
- Vol. 35, Issue 2, Pages: 244-247(2009)
- 作者机构：
  
  1:空军工程大学电讯工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2009
- 稿件说明：
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Single event upset rate analysis of SRAM/MOS equipments in satellite optical communication system[J]. 2009, 35(2): 244-247.
DOI：

Single event upset rate analysis of SRAM/MOS equipments in satellite optical communication system[J]. 2009, 35(2): 244-247. DOI：

摘要

为了分析单粒子事件对卫星光通信系统造成的影响

需要预估器件的单粒子翻转率。通过比较微分能谱方法和FOM方法

选取FOM方法估算了在不同高度和不同倾角下的单粒子翻转率。分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系。提出了基于单粒子翻转率的器件可靠性指标。数值计算结果表明

在较低轨道高度和较小轨道倾角条件下

SRAM/MOS器件受单粒子翻转影响较小、可靠性较高。

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