Research on the fabricating techniques of the BaAl<sub>2</sub>S<sub>4</sub>:Eu sputtering targets

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Research on the fabricating techniques of the BaAl₂S₄:Eu sputtering targets

更新时间：2025-09-01

- Research on the fabricating techniques of the BaAl₂S₄:Eu sputtering targets
- Vol. 35, Issue 5, Pages: 785-787(2009)
- 作者机构：
  
  1:北京理工大学光电学院薄膜与显示技术实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2009
- 稿件说明：
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Research on the fabricating techniques of the BaAl₂S₄:Eu sputtering targets[J]. 2009, 35(5): 785-787.
DOI：

Research on the fabricating techniques of the BaAl₂S₄:Eu sputtering targets[J]. 2009, 35(5): 785-787. DOI：

摘要

为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜

采用粉末烧结的方法

经过对BaS

Al2S3

等原材料的粉碎、研磨、高温烧结

以及热压等过程

制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaAl2S4:Eu发光层薄膜进行的光致发光分析表明

在300nm紫外光激发下

薄膜能够发射出峰值位于470nm处的蓝光。对发光层薄膜的XPS分析结果表明

发光层薄膜中含氧量较高

随着溅射功率的提高

薄膜中铝元素有显著增加;而随着淀积压强的增大

硫元素则显著减少。

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