Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC

doi:10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.06.017

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC

更新时间：2025-09-01

- Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC
- Vol. 36, Issue 6, Pages: 842-847(2010)
- 作者机构：
  
  1:深圳大学电子科学与技术学院微纳光子信息技术实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.06.017
  CLC：
- Published：2010
- 稿件说明：
移动端阅览
Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC[J]. 2010, 36(6): 842-847.
DOI：

Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC[J]. 2010, 36(6): 842-847. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.06.017.

摘要

提出了关于V字型铁电液晶(V-shaped Ferroelectric Liquid Crystal

VFLC)的等效电路模型

旨在将EDA技术引入对VFLC光电集成系统进行研究、开发和设计。该模型考虑了由铁电液晶盒多层结构和驱动电路引起的阻抗分配效应

以及极化与非极化锚定能对VFLC光电响应特性的影响。演示了电光迟滞曲线的反常迟滞、V字型及正常迟滞状态

并着重就自发极化强度对电光迟滞曲线的影响给出了模拟结果和分析。结果表明:强制电压随驱动信号频率的提高而增加

但增加速度随自发极化强度的提高而减慢;强制电压和迟滞反转频率随自发极化强度的变化均存在一个拐点

强制电压在自发极化强度为80nC/cm2时取到最小值(-0.084V)

迟滞反转频率在自发极化强度为90nC/cm2时达到最大值(6.4Hz);自发极化强度小于80nC/cm2时

迟滞反转频率随自发极化强度准线性增加。模拟结果从量级和趋势上均与实验结果吻合。

Abstract

关键词

Keywords

references

Views

下载量

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

Study on structure parameter of two-dimension ferroelectric liquid crystal by electronic model

Formation and discussion on the circuit model of the DFB LD

Related Author

潘炜

张晓霞

罗斌

刘永智

鲁业频

朱仁义

Related Institution

1:西南交通大学计算机与通信工程学院

2:电子科技大学光电信息学院

3:西南交通大学计算机与通信工程学院

4:电子科技大学光电信息学院

1:巢湖师专物理系

⁰