Preparation of anti-reflection films by PECVD technology

doi:10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2011.01.012

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Preparation of anti-reflection films by PECVD technology

更新时间：2025-09-01

- Preparation of anti-reflection films by PECVD technology
- Vol. 37, Issue 1, Pages: 97-100(2011)
- 作者机构：
  
  1:西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2011.01.012
  CLC：
- Published：2011
- 稿件说明：
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Preparation of anti-reflection films by PECVD technology[J]. 2011, 37(1): 97-100.
DOI：

Preparation of anti-reflection films by PECVD technology[J]. 2011, 37(1): 97-100. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2011.01.012.

摘要

讨论了采用PECVD方法在K9玻璃基底上制备SiO2、SiNx、以及SiOxNy薄膜材料的工艺参数与薄膜光学特性、沉积速率的关系

并且运用掌握的工艺参数成功地制备了400～800nm波长范围双层、梯度折射率减反射膜样片。实验结果表明

采用PECVD方法能够制备折射率可控的光学薄膜材料

沉积薄膜厚度的精度可以控制在7%以内。

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