Gate bias stress induced instability of InGaZnO thin film transistor under different sputter power

doi:10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2014.05.020

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Gate bias stress induced instability of InGaZnO thin film transistor under different sputter power

更新时间：2025-09-01

- Gate bias stress induced instability of InGaZnO thin film transistor under different sputter power
- Vol. 40, Issue 5, Pages: 476-480(2014)
- 作者机构：
  
  1. 1:北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室
  2. 2:北方夜视科技集团有限公司
  3. 3:重庆嘉陵华光光电科技有限公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2014.05.020
  CLC：
- Published：2014
- 稿件说明：
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Gate bias stress induced instability of InGaZnO thin film transistor under different sputter power[J]. 2014, 40(5): 476-480.
DOI：

Gate bias stress induced instability of InGaZnO thin film transistor under different sputter power[J]. 2014, 40(5): 476-480. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2014.05.020.

摘要

采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层

通过扫描电镜、霍尔效应测试仪

分析了溅射功率对IGZO薄膜形貌及电特性的影响

研究了不同IGZO溅射功率对IGZO-TFT栅偏压不稳定性的影响。结果表明

在一定范围内

低溅射功率使得IGZO薄膜的表面粗糙

缺陷较多

载流子浓度较低;在正栅极偏压作用下

低IGZO薄膜溅射功率导致较大的IGZO-TFT阈值电压漂移;在负偏压作用下不产生阈值电压漂移。

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