Simulation Study of Influences of p-type a-Si∶H on the performance of HIT Solar Cells

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更新时间：2025-09-01

- Simulation Study of Influences of p-type a-Si∶H on the performance of HIT Solar Cells
- Vol. 44, Issue 4, Pages: 495-499(2018)
- 作者机构：
  
  1:运城学院物理与电子工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2018.04.019
  CLC：
- Published：2018
- 稿件说明：
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Simulation Study of Influences of p-type a-Si∶H on the performance of HIT Solar Cells[J]. 2018, 44(4): 495-499.
DOI：

Simulation Study of Influences of p-type a-Si∶H on the performance of HIT Solar Cells[J]. 2018, 44(4): 495-499. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2018.04.019.

使用AFORS-HET软件模拟研究HIT太阳电池能带结构

讨论了发射区p型反转层的形成及影响因素

及其对电池性能的影响。结果表明:在n型单晶硅内

与p型非晶硅异质结界面处

形成p型反转层;p-Si∶H的掺杂浓度可调节费米能级位置

进而影响反转层的形成。HIT电池类似于p-n同质结电池

p型反转层作为太阳电池发射层

对太阳电池的性能起决定性作用。

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