Research on fluorescence properties of Cr3+in matrix LiScSi2O6 and device performance of as-Fabricated pc-LED

doi:10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.06.011

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Research on fluorescence properties of Cr³⁺in matrix LiScSi₂O₆ and device performance of as-Fabricated pc-LED

更新时间：2025-09-01

- Research on fluorescence properties of Cr³⁺in matrix LiScSi₂O₆ and device performance of as-Fabricated pc-LED
- Vol. 48, Issue 6, Pages: 668-673(2022)
- 作者机构：
  
  1. 1:韶关学院智能工程学院
  2. 2:韶关学院信息工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.06.011
  CLC： TN312.8;TQ422
- Published：2022
- 稿件说明：
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Research on fluorescence properties of Cr³⁺in matrix LiScSi₂O₆ and device performance of as-Fabricated pc-LED[J]. 2022, 48(6): 668-673.
DOI：

Research on fluorescence properties of Cr³⁺in matrix LiScSi₂O₆ and device performance of as-Fabricated pc-LED[J]. 2022, 48(6): 668-673. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.06.011.

摘要

红外荧光粉是制备基于蓝光芯片宽带近红外光源的关键。采用高温固相法制备了LiScSi_2O_6:Cr~(3+)近红外荧光粉样品并制备了相应的pc-LED器件，详细研究了样品的光致发光特性及pc-LED的性能。荧光粉在460nm蓝光激发下产生中心波长为850nm

半高宽约为156nm的宽带近红外光谱。在温度为160℃时，发光峰的强度下降为室温下的75.38%。把粉体涂覆在InGaN蓝光芯片(P_(max)=5W)表面制备的近红外pc-LED

得到最大近红外光输出功率为436.7mW@300mA

最大电光转化效率为18.3%@1mA。采用pc-LED作为红外光源，隐藏在油墨下的文字信息清晰可见，表明该红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带红外光源，且在夜视和信息防伪领域有良好的应用前景。

Abstract

红外荧光粉是制备基于蓝光芯片宽带近红外光源的关键。采用高温固相法制备了LiScSi

:Cr

近红外荧光粉样品并制备了相应的pc-LED器件，详细研究了样品的光致发光特性及pc-LED的性能。荧光粉在460nm蓝光激发下产生中心波长为850nm

半高宽约为156nm的宽带近红外光谱。在温度为160℃时，发光峰的强度下降为室温下的75.38%。把粉体涂覆在InGaN蓝光芯片(P

max

=5W)表面制备的近红外pc-LED

得到最大近红外光输出功率为436.7mW@300mA

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