在半导体工艺中各种外延生长的薄膜

以及各种氧化薄膜(如SiO_2)

氢化薄膜(如SiH)等厚度的测量

目前一般用金相显微镜法

但是测量前样品必需经过化学腐蚀

是一种有损测量法。我们根据薄膜干涉原理

利用红外光谱仪

很简便的、快速的、无损的测量了各种薄膜厚度。原理及计算公式入射光束I_0由空气射到薄膜表面

反射光束R_1和R_0之间的光程差为(见图1):