快速硅光电子开关的实验研究及其应用

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快速硅光电子开关的实验研究及其应用

更新时间：2025-09-01

- 快速硅光电子开关的实验研究及其应用
- Experimental investigation and application of fast velocity optoelectronic switchinq in silicon
- 光学技术 1988年第6期页码：31-33
- 作者机构：
  
  1. 1:上海光学精密机械研究所
  2. 2:上海光学精密机械研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1988
- 稿件说明：
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陈兰荣, 支婷婷. 快速硅光电子开关的实验研究及其应用[J]. 光学技术, 1988,(6):31-33.

Experimental investigation and application of fast velocity optoelectronic switchinq in silicon[J]. 1988, (6): 31-33.
陈兰荣, 支婷婷. 快速硅光电子开关的实验研究及其应用[J]. 光学技术, 1988,(6):31-33. DOI：

Experimental investigation and application of fast velocity optoelectronic switchinq in silicon[J]. 1988, (6): 31-33. DOI：

通过实验分析了硅光电子开关的物理性能。由于输出电脉冲直观

不易损防示波器

比值是能量比

因此开关是高功率激光器信噪比测试的良好探测器。

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