离子束刻蚀技术研究

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离子束刻蚀技术研究

更新时间：2025-09-01

- 离子束刻蚀技术研究
- A study on ion beam etching technique
- 光学技术 1993年第5期
- 作者机构：
  
  1. 1:北京理工大学工程光学系
  2. 2:北京理工大学工程光学系,100081
  3. 3,100081
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
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崔芳, 孙雨南. 离子束刻蚀技术研究[J]. 光学技术, 1993,(5).

A study on ion beam etching technique[J]. 1993, (5).
崔芳, 孙雨南. 离子束刻蚀技术研究[J]. 光学技术, 1993,(5). DOI：

A study on ion beam etching technique[J]. 1993, (5). DOI：

本文介绍了离子束刻蚀技术的原理

讨论了刻蚀速率与离子束流密度、离子能量和离子束入射角度的关系。实验结果与理论分析有较好的一致性。

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