GaP材料热导率的测量

陈显锋; 董绵豫; 丁祖昌; 郭圆圆; 张淑仪

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GaP材料热导率的测量

更新时间：2025-09-01

- GaP材料热导率的测量
- Investagation of thermal diffusivity of GaP material by nondextructive method
- 光学技术 1997年第6期
- 作者机构：
  
  1. 1:浙江大学物理系
  2. 2:南京大学国家近代声学重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(U20B2057)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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陈显锋, 董绵豫, 丁祖昌, 等. GaP材料热导率的测量[J]. 光学技术, 1997,(6).

Investagation of thermal diffusivity of GaP material by nondextructive method[J]. 1997, (6).
陈显锋, 董绵豫, 丁祖昌, 等. GaP材料热导率的测量[J]. 光学技术, 1997,(6). DOI：

Investagation of thermal diffusivity of GaP material by nondextructive method[J]. 1997, (6). DOI：

摘要

针对目前用于半导体材料掺杂浓度纵向深度分布测量用的方法，如Ｃ－Ｖ法、电化学法等方法对样品造成的损伤或污染，本文提出一种非接触式的光热法测量技术。并结合室温下光热法测得的实验数据计算了ＧａＰ∶Ｎ多层材料中不同杂质浓度下的热导率，获得热导率随半导体内掺入的杂质浓度增加而减小的关系。这一结果与现有用光热法测量单层结构的半导体材料得到的规律相符合，从而表明了用光热法对层状半导体材料进行掺杂浓度纵向分布测量的可行性；同时还讨论半导体内临近层间结晶程度的差异对光热信号幅度造成的影响。

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