X射线光刻技术的进展及问题

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X射线光刻技术的进展及问题

更新时间：2025-09-01

- X射线光刻技术的进展及问题
- Recent advances in X ray lithography and future challenges
- 光学技术 1999年第3期
- 作者机构：
  
  1:河北大学电子与信息工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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宋登元. X射线光刻技术的进展及问题[J]. 光学技术, 1999,(3).

Recent advances in X ray lithography and future challenges[J]. 1999, (3).
宋登元. X射线光刻技术的进展及问题[J]. 光学技术, 1999,(3). DOI：

Recent advances in X ray lithography and future challenges[J]. 1999, (3). DOI：

Ｘ射线光刻是一种能满足下世纪初超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）生产的深亚微米图形加工技术。论述了这种光刻技术的发展历史及近年来的主要进展。重点讨论了在Ｘ射线源、接近式曝光和全反射投影曝光等方面取得的成就与存在的问题。展望了这种技术的发展前景

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