脉冲激光辐照下半导体材料表面的温度特性

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脉冲激光辐照下半导体材料表面的温度特性

更新时间：2025-09-01

- 脉冲激光辐照下半导体材料表面的温度特性
- Surface temperature property of semiconductor material irradiated by pulsed laser
- 光学技术 1999年第4期
- 作者机构：
  
  1. 1:黑龙江大学物理系
  2. 2:国家电力公司热工研究院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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邱安平, 张振辉, 张心. 脉冲激光辐照下半导体材料表面的温度特性[J]. 光学技术, 1999,(4).

Surface temperature property of semiconductor material irradiated by pulsed laser[J]. 1999, (4).
邱安平, 张振辉, 张心. 脉冲激光辐照下半导体材料表面的温度特性[J]. 光学技术, 1999,(4). DOI：

Surface temperature property of semiconductor material irradiated by pulsed laser[J]. 1999, (4). DOI：

本文分析了在纳秒与皮秒级脉冲激光辐照下的半导体材料表面温度上升的机理。研究了通过测量材料表面蒸发原子的飞行时间来确定热表面点阵温度的原理和试验方法，它对于研究激光束与半导体材料相互作用的机理是至关重要的。

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