纳米晶SnO<sub>2</sub>透明导电薄膜的研制

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

纳米晶SnO₂透明导电薄膜的研制

更新时间：2025-09-01

- 纳米晶SnO₂透明导电薄膜的研制
- Study of nanocrystalline SnO₂ transparent conducting film
- 光学技术 2001年第1期页码：22-23
- 作者机构：
  
  1. 1:北京理工大学电子工程系,北京,100081
  2. 2:北京理工大学光电工程系,北京,100081
  3. 3:北京理工大学电子工程系,北京,100081
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家留学回国人员科研启动基金资助项目!(367 3)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
移动端阅览
王占和, 郝群, 祝侃. 纳米晶SnO₂透明导电薄膜的研制[J]. 光学技术, 2001,(1):22-23.

Study of nanocrystalline SnO₂ transparent conducting film[J]. 2001, (1): 22-23.
王占和, 郝群, 祝侃. 纳米晶SnO₂透明导电薄膜的研制[J]. 光学技术, 2001,(1):22-23. DOI：

Study of nanocrystalline SnO₂ transparent conducting film[J]. 2001, (1): 22-23. DOI：

阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术

使用混合气体Ar和O2

在衬底温度为 15 0～ 40 0℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO2 :Sb透明导电薄膜

通过测定X射线衍射谱

表明薄膜择优取向为 [110 ]和 [2 11]方向。测量了SnO2 :Sb薄膜的导电特性随衬底温度及氧分压的变化。光学特性测量结果表明薄膜具有较高的透过率。

浏览量

131

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

磁控射频溅射三SnO₂薄膜的气敏光学特性研究

磁控溅射材料沉积速率的定标方法的研究

极紫外多层膜制备工艺研究

半导体薄膜在航天器上的应用

纳米晶SnO2透明导电薄膜的研制