纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

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纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

更新时间：2025-09-01

- 纳米晶氧化锡薄膜的接触特性
- Contact properties of nanometer SnO₂ thin films
- 光学技术 2001年第4期页码：346-347
- 作者机构：
  
  1. 1:北京理工大学电子工程系,北京,100081
  2. 2:北京理工大学光电工程系,北京,100081
  3. 3:北京理工大学电子工程系,北京,100081
  4. 4:北京理工大学电子工程系,北京,100081
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家留学回国人员科研启动基金资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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王占和, 郝群, 祝侃, 等. 纳米晶氧化锡薄膜的接触特性[J]. 光学技术, 2001,(4):346-347.

Contact properties of nanometer SnO₂ thin films[J]. 2001, (4): 346-347.
王占和, 郝群, 祝侃, 等. 纳米晶氧化锡薄膜的接触特性[J]. 光学技术, 2001,(4):346-347. DOI：

Contact properties of nanometer SnO₂ thin films[J]. 2001, (4): 346-347. DOI：

在 Ar和 O2 气体中

基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下

用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻、单位面积薄膜的接触电阻和电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化情况

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