外腔半导体激光器中激光二极管端面反射率的谱特性分析

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更新时间：2025-09-01

- 外腔半导体激光器中激光二极管端面反射率的谱特性分析
- Reflectivity spectral characteristics on diode facets of external-cavity semiconductor lasers
- 光学技术 2001年第4期页码：291-293
- 作者机构：
  
  1. 1:西南交通大学计算机与通信工程学院,四川,成都,610031
  2. 2:西南交通大学计算机与通信工程学院,四川,成都,610031
  3. 3:西南交通大学计算机与通信工程学院,四川,成都,610031
  4. 4:四川大学光电系,四川,成都,610064
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  铁道部科技发展计划和四川省科技基金资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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潘炜, 张晓霞, 罗斌, 等. 外腔半导体激光器中激光二极管端面反射率的谱特性分析[J]. 光学技术, 2001,(4):291-293.

Reflectivity spectral characteristics on diode facets of external-cavity semiconductor lasers[J]. 2001, (4): 291-293.
潘炜, 张晓霞, 罗斌, 等. 外腔半导体激光器中激光二极管端面反射率的谱特性分析[J]. 光学技术, 2001,(4):291-293. DOI：

Reflectivity spectral characteristics on diode facets of external-cavity semiconductor lasers[J]. 2001, (4): 291-293. DOI：

考虑到端面反射率与波长有关

且带宽有限的实验事实

以及增益谱随载流子密度变化的因素

着重分析了激光二极管 (L D)镀膜端面反射率带宽、极小波长位置参量对光栅外腔激光器 (ECL D)调谐范围的影响。分析表明

除了 L D镀膜端面剩余反射率值、外腔反馈效率等因素之外

增大反射率带宽、精确控制极小波长位置是进一步挖掘 ECL D调谐范围的有效措施。增大反射率带宽

可更有效地提高参考载流子密度

延伸长波长端调谐区域

抑制 F- P腔影响。在确定的条件下

优化后的极小波长位置对应于调谐范围的极大值。理论分析结果较好地解释了实验现象

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