优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响

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更新时间：2025-09-01

- 优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响
- Minimize the diffraction influence by resist process optimization in X-ray lithography
- 光学技术 2002年第1期页码：52-53
- 作者机构：
  
  1:中国科技大学天文与应用物理系,合肥,230026
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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康士秀. 优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响[J]. 光学技术, 2002,(1):52-53.

Minimize the diffraction influence by resist process optimization in X-ray lithography[J]. 2002, (1): 52-53.
康士秀. 优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响[J]. 光学技术, 2002,(1):52-53. DOI：

Minimize the diffraction influence by resist process optimization in X-ray lithography[J]. 2002, (1): 52-53. DOI：

讨论了衍射效应在微米 /纳米X射线光刻中对分辨率的影响和抗蚀剂的预烘温度与其衬度的关系。分析发现增加抗蚀剂的衬度能有效地提高工艺的容裕度

减小衍射作用。实验表明

在预烘温度为 170℃时

正性抗蚀剂PMMA有最高的衬度为 4 46

负性抗蚀剂PN 114在预烘温度为 115℃时有最高的衬度为 8 40。给出了最佳预烘温度下使用两种抗蚀剂的X射线光刻的实验结果

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