SNOM应用于光电材料和器件的光学特性的探测和表征

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更新时间：2025-09-01

- SNOM应用于光电材料和器件的光学特性的探测和表征
- Characterization for optical properties of photonic materials and devices by SNOM
- 光学技术 2002年第5期页码：412-418
- 作者机构：
  
  1. 1:清华大学精密仪器系精密测试技术及仪器国家重点实验室
  2. 2:清华大学精密仪器系精密测试技术及仪器国家重点实验室,北京,100084
  3. 3,北京,100084
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究发展规划项目 (973)资助 (项目号 :G1 9990 330 0 0 2 );清华大学 985学科建设光存储项目资助
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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王佳, 徐铁军. SNOM应用于光电材料和器件的光学特性的探测和表征[J]. 光学技术, 2002,(5):412-418.

Characterization for optical properties of photonic materials and devices by SNOM[J]. 2002, (5): 412-418.
王佳, 徐铁军. SNOM应用于光电材料和器件的光学特性的探测和表征[J]. 光学技术, 2002,(5):412-418. DOI：

Characterization for optical properties of photonic materials and devices by SNOM[J]. 2002, (5): 412-418. DOI：

介绍了近场光学及近场探测的原理

给出了其用于光电器件研究中的一些结果。近场光学方法具有超衍射分辩的本领和纳米局域光场探测的能力

适用于多种光电材料的探测与表征

包括 :LD、光纤波导器件、光子晶体器件等。纳米局域光场和倏逝场的探测发现了许多远场探测无法得到的结果

为光电器件纳米结构的研究提供了有力证据

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