CaS∶Eu<sup>2+</sup>,Sm<sup>3+</sup>的制备与表征

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CaS∶Eu²⁺,Sm³⁺的制备与表征

更新时间：2025-09-01

- CaS∶Eu²⁺,Sm³⁺的制备与表征
- Preparation of CaS∶Eu²⁺, Sm³⁺ and characterization
- 光学技术 2004年第3期页码：296-298
- 作者机构：
  
  1. 1:长春理工大学
  2. 2:长春理工大学
  3. 3:长春理工大学,长春,130022
  4. 4,长春,130022
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
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张希艳, 姜薇薇, 卢利平. CaS∶Eu²⁺,Sm³⁺的制备与表征[J]. 光学技术, 2004,(3):296-298.

Preparation of CaS∶Eu²⁺, Sm³⁺ and characterization[J]. 2004, (3): 296-298.
张希艳, 姜薇薇, 卢利平. CaS∶Eu²⁺,Sm³⁺的制备与表征[J]. 光学技术, 2004,(3):296-298. DOI：

Preparation of CaS∶Eu²⁺, Sm³⁺ and characterization[J]. 2004, (3): 296-298. DOI：

采用湿法工艺在还原气氛下制备了CaS∶Eu2+

Sm3+光存储材料。研究了灼烧温度和灼烧时间对样品性能的影响。XRD图谱表明

样品在700℃—1200℃均形成CaS晶格。光谱分析表明

在紫外光(295nm)激发后

用980nm半导体激光照射样品

具有光激励发光现象

发射光谱峰值波长为649nm。

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