基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

更新时间：2025-09-01

- 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度
- Compute the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method
- 光学技术 2004年第4期页码：403-405
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学重点实验室
  2. 2:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学重点实验室,吉林,长春,130022
  3. 3,吉林,长春,130022
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
移动端阅览
解滨, 陈波. 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度[J]. 光学技术, 2004,(4):403-405.

Compute the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[J]. 2004, (4): 403-405.
解滨, 陈波. 基于有限元软件分析碳纳米管的最佳阵列密度[J]. 光学技术, 2004,(4):403-405. DOI：

Compute the optimum density of carbon nanotube arrays based on finite element method[J]. 2004, (4): 403-405. DOI：

利用有限元软件ANSYS

对碳纳米管的最佳阵列密度进行了分析。针对碳纳米管阵列静电场分布的特点

建立了碳纳米管的模型

确定了模型的边界条件。为了便于对计算结果进行对照

在分析时采用的参数是:阵列周期T=2000nm

单根碳纳米管长度L=1μm

顶端半径r=2nm。通过计算得到了单根碳纳米管的场增强因子为321。在长度L和顶端半径r不变的情况下

使用了参数化设计语言

计算了在不同周期(200～4000μm)下碳纳米管场增强因子随周期变化的情况

进一步利用Fowler Nordheim函数得到最佳阵列周期(1600μm)。结果证明

利用有限元软件

其分析过程不仅正确性

而且实用

并且为此类问题的解决提供了一个通用的方法。

浏览量

131

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于ANSYS的硬脆性材料脉冲激光打标温度场数值模拟

基于布拉格光栅的边坡监测实验研究

碳纳米管对信息激光的消光系数测试研究