掩埋式弱限制MMI的性能模拟

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掩埋式弱限制MMI的性能模拟

更新时间：2025-09-01

- 掩埋式弱限制MMI的性能模拟
- Properties simulation of weak guided buried MMI
- 光学技术 2004年第5期页码：522-524
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
  2. 2:中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
  3. 3:中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
  4. 4:中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家高技术研究发展计划(2002AA312261);国家自然科学基金(69889701);国家重点基础研究发展规划(G20000366202)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
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夏君磊, 郜定山, 安俊明, 等. 掩埋式弱限制MMI的性能模拟[J]. 光学技术, 2004,(5):522-524.

Properties simulation of weak guided buried MMI[J]. 2004, (5): 522-524.
夏君磊, 郜定山, 安俊明, 等. 掩埋式弱限制MMI的性能模拟[J]. 光学技术, 2004,(5):522-524. DOI：

Properties simulation of weak guided buried MMI[J]. 2004, (5): 522-524. DOI：

采用精确模式分析方法(EMA)对一种掩埋式折射率差为0.47%的弱限制MMI进行了数值模拟

通过和强限制MMI对比表明

这种弱限制的MMI可以实现良好的均衡性(9.7×10-4dB)和附加损耗(0.13dB)

比强限制MMI具有更大的带宽

更好的宽度和长度容差性。虽然这种弱限制MMI的最小附加损耗和最佳均衡性不能在同一长度同时获得

但由于其良好的容差性

在最佳均衡性长度处仍能获得低于0.8dB的附加损耗。用紫外写入波导的方法制作掩埋式结构的弱限制MMI器件是可行的。

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