16×0.8nm Si基SiO<sub>2</sub>阵列波导光栅设计、制备及测试

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16×0.8nm Si基SiO₂阵列波导光栅设计、制备及测试

更新时间：2025-09-01

- 16×0.8nm Si基SiO₂阵列波导光栅设计、制备及测试
- Silica based 16×0.8nm arrayed waveguide grating multiplexer design, fabrication and testing
- 光学技术 2005年第3期页码：349-350
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院半导体研究所
  2. 2:中国科学院半导体研究所
  3. 3:中国科学院半导体研究所
  4. 4:中国科学院半导体研究所,北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究发展规划(G2000036602);国家自然科学基金(69889701)资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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李健, 安俊明, 王红杰, 等. 16×0.8nm Si基SiO₂阵列波导光栅设计、制备及测试[J]. 光学技术, 2005,(3):349-350.

Silica based 16×0.8nm arrayed waveguide grating multiplexer design, fabrication and testing[J]. 2005, (3): 349-350.
李健, 安俊明, 王红杰, 等. 16×0.8nm Si基SiO₂阵列波导光栅设计、制备及测试[J]. 光学技术, 2005,(3):349-350. DOI：

Silica based 16×0.8nm arrayed waveguide grating multiplexer design, fabrication and testing[J]. 2005, (3): 349-350. DOI：

叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz)

解复用器的插入损耗为16.8dB

其中材料损耗为11.95dB

相邻通道串扰小于-17dB

通道插损非均匀性小于2.2dB。

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