光致变色材料多阶光存储模型与实验

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光致变色材料多阶光存储模型与实验

更新时间：2025-09-01

- 光致变色材料多阶光存储模型与实验
- Model of multi-level optical storage with photochromic materials and experiments
- 光学技术 2005年第6期
- 作者机构：
  
  1. 1:清华大学精密仪器系光盘国家工程研究中心
  2. 2:清华大学精密仪器系光盘国家工程研究中心
  3. 3:清华大学精密仪器系光盘国家工程研究中心
  4. 4:清华大学精密仪器系光盘国家工程研究中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究发展规划资助项目(973项目)(G19990330)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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雷志军, 徐端颐, 齐国生, 等. 光致变色材料多阶光存储模型与实验[J]. 光学技术, 2005,(6).

Model of multi-level optical storage with photochromic materials and experiments[J]. 2005, (6).
雷志军, 徐端颐, 齐国生, 等. 光致变色材料多阶光存储模型与实验[J]. 光学技术, 2005,(6). DOI：

Model of multi-level optical storage with photochromic materials and experiments[J]. 2005, (6). DOI：

光致变色材料具有光子型反应的特点

控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度

从而实现多阶存储。根据光化学反应的原理

分析了光致变色材料的写入过程

建立了光致变色多阶存储写入过程的反射率模型。根据该模型的仿真计算结果

设定了一组合适的曝光量

在1

2_双(2_甲基_5_(4_(1

3_二氧戊环基)苯基)噻吩_3_基)全氟环戊烯材料上实现了8阶存储。

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