低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜

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低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜

更新时间：2025-09-01

- 低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜
- Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating
- 光学技术 2005年第5期页码：669-671
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  2. 2:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  3. 3:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
  4. 4:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国防科工委资助项目[MKPT-01-111(ZD)]
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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徐颖, 高劲松, 王笑夷, 等. 低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜[J]. 光学技术, 2005,(5):669-671.

Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating[J]. 2005, (5): 669-671.
徐颖, 高劲松, 王笑夷, 等. 低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜[J]. 光学技术, 2005,(5):669-671. DOI：

Preparation of ITO films by reactive low voltage ion plating[J]. 2005, (5): 669-671. DOI：

溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析

并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s

氧气流量为24cm3/min时

在波长为550nm处

方块电阻为20Ω

λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。

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