纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究

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纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究

更新时间：2025-09-01

- 纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究
- Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances
- 光学技术 2006年第5期页码：682-684
- 作者机构：
  
  1. 1:上海大学纳米中心
  2. 2:上海大学纳米中心
  3. 3:上海大学理学院
  4. 4:上海大学纳米中心,上海,200444
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(50575131);上海市纳米专项资助项目(0452nm013)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2006
- 稿件说明：
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张鹏珍, 雷红, 张剑平, 等. 纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究[J]. 光学技术, 2006,(5):682-684.

Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances[J]. 2006, (5): 682-684.
张鹏珍, 雷红, 张剑平, 等. 纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究[J]. 光学技术, 2006,(5):682-684. DOI：

Preparation of nano-sized CeO₂ and its polishing performances[J]. 2006, (5): 682-684. DOI：

采用溶胶-凝胶法制备了纳米CeO2粉体

并采用XRD、TOF-SIMS对其进行了表征。结果表明平均晶粒度在13.3nm

粒度分布均匀。进而研究了纳米CeO2在玻璃基片抛光中的抛光性能。ZYGO形貌仪表明

抛光后其表面平均粗糙度值(Ra)可降低到0.6nm左右。原子力显微镜(AFM)在5μm×5μm范围内测得基片表面粗糙度Ra值为0.281nm

表面光滑

划痕等表面微观缺陷明显改善。

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