磁流变抛光工艺参数的正交实验分析

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磁流变抛光工艺参数的正交实验分析

更新时间：2025-09-01

- 磁流变抛光工艺参数的正交实验分析
- Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF
- 光学技术 2006年第6期页码：886-888
- 作者机构：
  
  1. 1:国防科技大学机电工程与自动化学院
  2. 2:国防科技大学机电工程与自动化学院
  3. 3:国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙,410073
  4. 4,长沙,410073
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(50375156)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2006
- 稿件说明：
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彭小强, 戴一帆, 李圣怡. 磁流变抛光工艺参数的正交实验分析[J]. 光学技术, 2006,(6):886-888.

Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF[J]. 2006, (6): 886-888.
彭小强, 戴一帆, 李圣怡. 磁流变抛光工艺参数的正交实验分析[J]. 光学技术, 2006,(6):886-888. DOI：

Orthogonal experiment and analysis on polishing parameters of MRF[J]. 2006, (6): 886-888. DOI：

对利用自行配制的水基磁流变抛光液和磁流变抛光实验样机进行了以抛光去除效率和表面粗糙度为考核指标的工艺实验。应用正交试验方法分析了磁流变抛光中主要工艺参数(磁场强度、抛光粉浓度、抛光盘的转速、抛光盘与工件间的间隙)对抛光去除效率和表面粗糙度的影响规律

并结合磁流变抛光机理对其进行了分析。根据实验结果对工艺参数进行了优化。

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