闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究

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更新时间：2025-09-01

- 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究
- Study of blaze grating feedback external-cavity semiconductor laser with narow-linewidth
- 光学技术 2006年第6期页码：869-870
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院半导体研究所
  2. 2:中国科学院半导体研究所
  3. 3:中国科学院半导体研究所,北京,100083
  4. 4,北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2006
- 稿件说明：
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江鹏飞, 周燕, 谢福增. 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究[J]. 光学技术, 2006,(6):869-870.

Study of blaze grating feedback external-cavity semiconductor laser with narow-linewidth[J]. 2006, (6): 869-870.
江鹏飞, 周燕, 谢福增. 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究[J]. 光学技术, 2006,(6):869-870. DOI：

Study of blaze grating feedback external-cavity semiconductor laser with narow-linewidth[J]. 2006, (6): 869-870. DOI：

在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上

利用闪耀光栅作为外部反馈元件

介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔

它能够很好的改善半导体激光器的性能。实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出

边模抑制比大于30dB

线宽优于1.2MHz(Δλ3.6×10-6nm)。实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性。

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