存储型上转换发光材料CaS:Eu,Sm的发光机理研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

光学材料 | 更新时间：2025-09-01

- 存储型上转换发光材料CaS:Eu,Sm的发光机理研究
- Luminescence mechanism of charged upconversion material CaS∶Eu,Sm
- 光学技术 2007年第6期页码：878-880
- 作者机构：
  
  1. 1:长春理工大学材料科学与工程学院
  2. 2:长春理工大学材料科学与工程学院
  3. 3:长春理工大学材料科学与工程学院
  4. 4:长春理工大学材料科学与工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  吉林省科技厅青年基金资助项目(20060503);装备预研资助项目(060151312156)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2007
- 稿件说明：
移动端阅览
卢利平, 张希艳, 米晓云, 等. 存储型上转换发光材料CaS:Eu,Sm的发光机理研究[J]. 光学技术, 2007,(6):878-880.

Luminescence mechanism of charged upconversion material CaS∶Eu,Sm[J]. 2007, (6): 878-880.
卢利平, 张希艳, 米晓云, 等. 存储型上转换发光材料CaS:Eu,Sm的发光机理研究[J]. 光学技术, 2007,(6):878-880. DOI：

Luminescence mechanism of charged upconversion material CaS∶Eu,Sm[J]. 2007, (6): 878-880. DOI：

采用低温燃烧合成(LCS)法制备了存储型上转换发光材料CaS∶Eu

并对其上转换发光机理进行了研究。研究表明:样品的激发光谱位于200~600nm之间

紫外或可见光均可有效地激发该材料来完成充能过程

且可见光激发占优势;样品的红外响应光谱范围为800~1600nm

由辅助激活离子Sm所形成的劈裂的深陷阱能级是该材料具有宽频谱红外转换特性的根本原因;样品的热释光谱高温峰值位于351.02℃

计算得到的陷阱能级深度为0.82eV

深度适中

利于激发能的储存和上转换发光的产生。

浏览量

379

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据