激光对半导体材料损伤的机理研究

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激光对半导体材料损伤的机理研究

激光技术与激光器 | 更新时间：2025-09-01

- 激光对半导体材料损伤的机理研究
- The study of the mechanism of laser-induced damage on semiconductor
- 光学技术 2007年第5期页码：643-644
- 作者机构：
  
  1. 1:北京理工大学信息科学技术学院
  2. 2:北京理工大学信息科学技术学院,北京,100081
  3. 3,北京,100081
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60378002)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2007
- 稿件说明：
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冯津京, 阎吉祥. 激光对半导体材料损伤的机理研究[J]. 光学技术, 2007,(5):643-644.

The study of the mechanism of laser-induced damage on semiconductor[J]. 2007, (5): 643-644.
冯津京, 阎吉祥. 激光对半导体材料损伤的机理研究[J]. 光学技术, 2007,(5):643-644. DOI：

The study of the mechanism of laser-induced damage on semiconductor[J]. 2007, (5): 643-644. DOI：

研究了半导体材料对激光的吸收机制。运用一维热传导方程以及载流子耦合扩散方程研究了激光与半导体材料相互作用的热输运、自由载流子输运过程。分析了半导体材料的热学损伤、力学损伤

以及光电探测器的击穿损伤机制。应用数值模拟的方法对Nd:YAG脉冲激光(1.06μm)辐照下感兴趣的半导体材料PbS内部瞬时温度场分布进行了模拟。

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