NEA GaN光电阴极量子产额研究

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NEA GaN光电阴极量子产额研究

仪器与设计 | 更新时间：2025-09-01

- NEA GaN光电阴极量子产额研究
- Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode
- 光学技术 2008年第3期页码：395-397
- 作者机构：
  
  1. 1:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  2. 2:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  3. 3:南京理工大学电子工程与光电技术学院
  4. 4:南京理工大学电子工程与光电技术学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  教育部高等学校博士点基金资助项目(20050288010)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2008
- 稿件说明：
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乔建良, 常本康, 杨智, 等. NEA GaN光电阴极量子产额研究[J]. 光学技术, 2008,(3):395-397.

Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode[J]. 2008, (3): 395-397.
乔建良, 常本康, 杨智, 等. NEA GaN光电阴极量子产额研究[J]. 光学技术, 2008,(3):395-397. DOI：

Study of the quantum yield of NEA GaN photocathode[J]. 2008, (3): 395-397. DOI：

围绕NEA GaN光电阴极光电发射过程的光谱响应理论

研究了其量子产额问题。分别给出了反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额计算公式

分析了影响量子产额的因素。分析了国外制备的反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额曲线。结果表明

目前制备的NEA GaN光电阴极已具有高达30%的量子效率和良好的发射性能。相同条件下

反射模式比透射模式的量子效率要高

而且反射模式不像透射模式那样存在短波限制。

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