两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究

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两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究

薄膜光学 | 更新时间：2025-09-01

- 两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究
- Research of the surface modification for two kinds of silicon carbide mirror in common use
- 光学技术 2009年35卷第1期页码：21-24
- 作者机构：
  
  1. 1:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  2. 2:中国科学院研究生院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60478035)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2009
- 稿件说明：
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申振峰, 高劲松, 陈红, 等. 两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究[J]. 光学技术, 2009,35(1):21-24.

Research of the surface modification for two kinds of silicon carbide mirror in common use[J]. 2009, 35(1): 21-24.
申振峰, 高劲松, 陈红, 等. 两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究[J]. 光学技术, 2009,35(1):21-24. DOI：

Research of the surface modification for two kinds of silicon carbide mirror in common use[J]. 2009, 35(1): 21-24. DOI：

利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法

分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC

S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层

并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性

两种基底的表面粗糙度(rms)大幅地降低

镀银后的反射率有较大地提高

基底表面光学质量已满足工程应用要求。在相同工艺条件下

S-SiC基底改性后效果好于RB-SiC基底的情况

主要是因为Si膜在两种基底表面生长情况不同所致。

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