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1. 1:南京理工大学电子工程与光电技术学院
2. 2:南阳理工学院电子与电气工程系
纸质出版:2009
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乔建良, 牛军, 杨智, 等. NEA GaN光电阴极表面模型研究[J]. 光学技术, 2009,35(1):145-147.
Study of NEA GaN photocathode surface model[J]. 2009, 35(1): 145-147.
乔建良, 牛军, 杨智, 等. NEA GaN光电阴极表面模型研究[J]. 光学技术, 2009,35(1):145-147. DOI:
Study of NEA GaN photocathode surface model[J]. 2009, 35(1): 145-147. DOI:
针对目前NEAGaN光电阴极研究中Cs激活或Cs/O激活后表面状态的形成过程还不清楚的问题
围绕NEAGaN光电阴极的光电发射机理
结合GaN光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的最终效果
给出了GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs。利用该模型可很好地解释单独用Cs激活时约-1.0eV的有效电子亲和势和Cs/O共同激活时-1.2eV的有效电子亲和势的成因
也较好地解释了表面吸附原子的组合形式
即Cs/O激活后激活层的化学结构由Cs2O2和CsO2构成。
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