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激光剥离技术实现垂直结构GaN基
光学器件 | 更新时间:2025-09-01
    • 激光剥离技术实现垂直结构GaN基

    • LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique

    • 光学技术   2009年35卷第2期 页码:172-174
    • 纸质出版:2009

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  • 王婷, 崔占忠, 徐立新. 激光剥离技术实现垂直结构GaN基[J]. 光学技术, 2009,35(2):172-174. DOI:

    LEDVertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique[J]. 2009, 35(2): 172-174. DOI:

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